La diagnosis de malaria supone ciertos problemas, tanto para su detección como para determinar si la enfermedad se ha hecho resistente a determinados medicamentos, cosa que hasta el momento se suele determinar mediante ensayo y error. Una prueba de este tipo puede llevar hasta 48 horas y, en el peor de los casos, requerir análisis de ADN y, con ello, otros dos días adicionales. La universidad de Glasgow prueba estos días el nuevo chip de STMicroelectronics, capaz de realizar una prueba de este tipo en unos 60 minutos in situ, ya que el chip en si ocupa el equivalente a una tarjeta de visita.

Fuente: Medgadget

Finas capas monoatómicas de grafeno depositadas químicamente sobre cobre (tras el primer minuto). (C) Science

El grafeno es fácil de fabricar, basta “rascar” grafito de la mina de un lápiz. Otro asunto muy distinto es depositar una capa monoatómica de grafeno sobre un substrato. Muchos grupos de investigación están trabajando en técnicas de deposición de grafeno sobre obleas de silicio. Los avances son constantes. Hoy se publica en Science Express una técnica que permite depositar películas de grafeno de varios centímetros cuadrados sobre substratos de cobre (mediante deposición química en fase de vapor usando metano). Más del 95% del grafeno depositado es monoatómico. Estas finas películas se pueden transferir a un substrato de Si/SiO₂ por contacto directo. Tan fácil como contarlo. La gran ventaja del grafeno es su altísima velocidad. Con la nueva técnica los electrones en el grafeno alcanzan una mobilidad de hasta 4300 cm²V^-1s^-1 a temperatura ambiente. El avance lo han obtenido físicos tejanos. El artículo técnico es Xuesong Li et al. “Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils,” Science Express, Published Online May 7, 2009 . Muchos se han hecho eco del mismo, como “Faster Computers, Electronic Devices Possible After Scientists Create Large-area Graphene On Copper,” ScienceDaily, May 7, 2009 , o “Lage-area graphene films on copper step towards faster computers,” Nanowerk News, May 7, 2009 .  

Rod (Rodney S.) Ruoff, coautor del artículo, nos recuerda que “el grafeno permitirá ordenadores más rápidos, con un menor consumo, nuevas células solares fotovoltaicas para producción de electricidad, nuevos dispositivos de comunicaciones de muy alta frecuencia, y nuevas tecnologías para pantallas planas de TV.” Rod se ha quedado sin aire. El grafeno sirve para todo, pero su mayor ventaja ya la contamos en este blog, se pega muy bien sobre silicio u óxido de silicio, materiales ampliamente utilizados en la industria microelectrónica actual. El grafeno es el paso intermedio ideal hacia la nanoelectrónica: capas monoatómicas (de menos de un nanómetro de espesor) trabajando de la mano con dispositivos y estructuras semiconductoras convencionales (con la tecnología de 0.12 micras son estructuras 250 veces más gruesas).

Ya se fabrican en laboratorio transistores de efecto de campo (tipo FET) que utilizan grafeno. Todo sería más fácil si se pudiera dopar el grafeno como se hace con el silicio para obtener materiales semiconductores dadores (tipo n) y aceptores (tipo p) de electrones. Ya se sabía que las nanotiras de grafeno (de sólo unas decenas de nanómetros de anchura) a temperatura ambiente adsorben (se adhieren) moléculas aceptoras de electrones (tipo p). Hoy se publica en Science un artículo que muestra que al calentar estas nanotiras de grafeno en una atmósfera con amoniaco, el nitrógeno se incorpora al grafeno (pegándose literalmente a su borde) convirtiéndolo en un material dador de electrones (tipo n). Moléculas que se pegan a los bordes de la nanotira de grafeno y que alteran sus propiedades. Más aún, de esta forma se pueden obtener grafeno (dopado) tipo p y tipo n de una manera sencilla y efectiva, lo que facilitará el desarrollo de nuevos tipos de transistores y dispositivos nanoelectrónicos. La ciencia y técnica del grafeno avanzando a pasos agigantados. Lo que está de moda, ya se sabe, está de moda. El artículo técnico es Xinran Wang et al. “N-Doping of Graphene Through Electrothermal Reactions with Ammonia,” Science, 324: 768-771, 8 May 2009 .

Más sobre grafeno en este blog:

La meteórica carrera de Tomás Palacios y el transistor de grafeno ultrarrápido (Publicado por emulenews en Mayo 4, 2009)

Nanotransistores con canal de nanotubos para los ordenadores del futuro (Publicado por emulenews en Mayo 29, 2008)

El grafeno, la panacea de la nanoelectrónica (Publicado por emulenews en Marzo 27, 2009)

Desenrollando nanotubos de carbono multicapa en nanoláminas de grafeno (o cuando una imagen vale más que mil palabras) (Publicado por emulenews en Abril 16, 2009)

En España la fuga de cerebros sigue siendo una realidad. Aunque nos pese. El mejor ejemplo reciente es Tomás Palacios (el CiberPaís le ha dedicado una entrevista a toda  página). En España hubiera sido imposible, absolutamente imposible, que un joven (casi un niño) ingeniero de telecomunicaciones (acabó la carrera en 2001) haya obtenido la tesis doctoral y sea investigador principal de un grupo con 5 estudiantes de doctorado, 1 postdoc y hasta secretaria (según la web, en El País pone que son 12), atesorando más de 70 artículos en revistas internacionales y congresos internacionales. 

Posiblemente Tomás lo supiera y por eso se fue a la Universidad de California – Santa Barbara (UCSB) a estudiar Ingeniería Eléctrica, cuyo M.S. acabó en 2004. Siendo ingeniero estudiar de nuevo una ingeniería parece una tontería. Pero claro, siendo ya ingeniero la nueva ingeniería se estudia de manera diferente. Por ello en 2006 ya era Doctor en Ingeniería Eléctrica pora la UCSB. Y en EEUU está mal vista la endogamia, al contrario que en España. Así que Tomás se fue a, posiblemente, la mejor universidad tecnológica del mundo, el M.I.T. (Instituto Tecnológico de Massachusetts) como Assistant Professor (lo que en España sería similar a un Profesor Contratado Doctor). ¡Increíble! Se lo merece. ¡Bravo por Tomás!

Ya apuntaba buenas maneras siendo estudiante. En 1997 empezó a colaborar con el Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología de la Universidad Politécnica de Madrid, donde seguramente le recomendarían que se fuera fuera de España. Y se fue, antes de acabar teleco, estuvo en 2000, en el Grupo de Microelectrónica del mismísimo CERN, en Génova. Así que cuando emigró a EEUU para estudiar un M.S. en UCSB se incorporó a un grupo de investigación, en concreto el del Prof. Mishra, nada más empezar, no está nada mal. Una carrera meteórica, sin lugar a dudas.

Tomás ha ganado muchos premios, pero destacaré sólo uno el Premio Salvà i Campillo, Nit de las Telecomunicacions, de 2003 con su trabajo “Desarrollo de nuevos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos basados en nitruros” (premiado en la categoría de ingeniero novel).

Volviendo al grano, en el CiberPaís, Laia Reventós (30/04/2009) nos titula “Llega el ‘chip’ de grafeno,” y nos aclara

“El español Tomás Palacios, profesor del MIT, consigue fabricar transistores de grafeno 10 veces más rápidos que los de silicio. Los ‘chips’ del revolucionario material, de un átomo de espesor, podrían alcanzar velocidades de mil GHz.”

Ya hemos hablado en este blog del grafeno, descubierto en 2004. Hace menos de 1 año se ha convertido en sustituto aclamado por todos para el silicio, ya que los nanotubos de carbono no lo han logrado (no es fácil “pegar” nanotubos y silicio o arseniuro de galio, pero es muy fácil hacerlo con grafeno). Una sola capa atómica de carbono con propiedades entre semiconductor y metal que permite desarrollar dispositivos microelectrónicos como transistores. Hace un lustro, pura ciencia ficción.

El logro estrella de nuestro compatriota Tomás Palacios ha sido la fabricación de transistores de efecto de campo de grafeno (el transistor G-FET o  Graphene Field-Effect Transistor, donde se utiliza grafeno como drenador). Para los que no sepan los que un transistor FET la wiki es una ayuda. ¿Qué ventaja tiene el grafeno? Como el grafeno es una capa monoatómica, los electrones tienen un altísima movilidad, lo que permite obtener un transistor ultrarrápido. Con el silicio se logran unos 100 GHz de velocidad, valor que se mejora con arseniuro de galio y otras tierras raras, pero “pegando” mal con el silicio. Usando transistores de grafeno se alcanzá un terahercio (1 THz) “pegando” estupendamente con silicio. El artículo técnico es H. Wang, D. Nezich, J. Kong, T. Palacios, “Graphene Frequency Multipliers,” IEEE Electron Device Letters 30: 547-549, May 2009 . Para los que sois ingenieros de telecomunicaciones o electrónicos, el artículo merece que os molestéis en leerlo: la idea es extremadamente simple. La genialidad de Tomás queda demostrada… un artículo que cualquiera puede entender… un trabajo que cualquiera puede imitar… pero él ha sido el primero.

¿Qué aplicaciones tendrá el trabajo de Tomás? Muchas, por ejemplo, multiplicadores de frecuencia para comunicaciones inalámbricas. ¿Qué aplicaciones tendrá la microelectrónica con grafeno? Infinitas. Bueno, nadie lo sabe realmente, pero muchas veces claman a que la microelectrónica con silicio y grafeno será la que permitirá la transición hasta la futura nanoelectrónica (posiblemente sólo con carbono, sea grafeno, grafano, nanotubos de carbono u otra maravilla “carbónica” por descubrir).

En palabras del propio Tomás ”El grafeno es un material increíble. No sólo revoluciona la electrónica, la informática y las comunicaciones, sino que está cambiando la manera en la que se estudia la física”.

¿Será Tomás Palacios el primer Nobel de Física para un español? Es pronto para saberlo, pero con su juventud y buenas ideas se convertirá en uno de los grandes “cerebros” españoles fugados. A mí el caso de Tomás Palacios me recuerda mucho al de Wolfgang Ketterle (también en MIT), valgan las distancias, claro está. ¿Quién es Ketterle? ¿De verdad me lo preguntas? Busca en la wiki. Bueno, no seré malo, sólo es un alemán que emigró a EEUU con su mujer y dos niños (siendo ya con 30 años catedrático en Alemania), cambió radicalmente de tema de investigación y ahora es Premio Nobel de Física. Pecata minuta. 

Otras entradas en este blog relacionadas con ésta:

Nanotransistores con canal de nanotubos para los ordenadores del futuro(Publicado por emulenews en Mayo 29, 2008).

El grafeno, la panacea de la nanoelectrónica (Publicado por emulenews en Marzo 27, 2009).

Desenrollando nanotubos de carbono multicapa en nanoláminas de grafeno (o cuando una imagen vale más que mil palabras) (Publicado por emulenews en Abril 16, 2009).

El objetivo del recién inaugurado Laboratorio de Energía Solar Fotovoltaica de la Universidad del País Vasco (UPV/EHU) es crear las tecnologías más avanzadas de células solares y transferirlas a la industria. Entre sus propuestas se encuentran los emisores selectivos y la difusión láser.

FUENTE – Energías-Renovables – 19/02/09

El laboratorio está ubicado en el parque Tecnológico de Bizkaia, en Zamudio, y depende del Instituto de Tecnología Microelectrónica, donde desde 1.988 se trabaja con silicio cristalino. Su tecnología se ha aplicado para fabricar células muy delgadas, 70 micras de grosor, y ha conseguido el récord mundial de peso por vatio pico, en concreto 3,9 gramos para tecnología de células sobre oblea. No es casual que este instituto se encargue de los trabajos del nuevo laboratorio. Las compañías de microelectrónica consideran que el sector fotovoltaico, con crecimientos anuales superiores al 40%, es estratégico. Las previsiones auguran que para 2030, solo en Europa, se habrán creado entre 200.000 y 400.000 empleos ligados a este sector.

Buscar la mayor eficiencia

El Director del Instituto de Microtecnología de la UPV/EHU, Juan Carlos Jimeno, ha explicado a Energías Renovables que “nuestro principal enfoque ha sido la reducción de costes. Ahora ese enfoque debe complementarse con otro de alta eficiencia”. Una de las claves podrían ser los emisores selectivos. “Yo creo” -explica Jimeno- “que hay una limitación clara por los líneas serigráficas que se usan en la metalización, esas líneas son demasiado gruesas y ese grosor hace que haya pérdidas asociadas con la gran superficie que tiene la serigrafía”.

El Instituto de Microtecnología ha comenzado ha trabajar con las difusiones láser, un asunto que también abordan grupos de investigación en la Universidad de Stuttgart y en el Instituto Fraunhofer. El reto es averiguar cómo se materializa la difusión láser y conseguir una tecnología compatible con un proceso global, es decir que se pueda trasladar a una línea industrial. 

La difusión láser consiste en difundir fósforo y boro en zonas muy localizadas del silicio sin necesidad de recurrir a la fotolitografía. Todos los laboratorios que se dedican a la alta eficiencia usan la fotolitografía para definir la geometría de los emisores de forma muy localizada, eso es lo que hace que las células puedan ser muy eficientes. “Nosotros lo que queremos es poder seleccionar térmicamente las zonas que deseamos activar, y eso se hace con un láser”, explica Juan Carlos Jimeno.

El beneficio de la difusión láser es una mayor eficiencia. La pregunta es dónde está el límite y aún no hay respuesta. Si el récord de eficiencia en una célula de silicio se encuentra en torno al 25% y las que comercializa la industria su mueven en el rango del 16,5%, en la diferencia entre esas dos eficiencias puede estar la contestación. “Lo que hay que hacer” -asegura Jimeno- “es exprimir el silicio para qué lo máximo posible”.

En definitiva, el Instituto de Microtecnología se ha embarcado en proyectos de investigación muy ambiciosos como son la generación de tecnología para un proyecto industrial que va a fabricar células solares en Euskadi; la creación de un nuevo equipo que pretende revolucionar las líneas de química usadas en la industria fotovoltaica; o la colaboración con una compañía de Mendaro, que va a convertirse en una de las principales compañías mundiales ofertando plantas llave en mano para la producción de células solares con tecnología patentada por la UPV/EHU.

Una inversión de dos millones de euros

El Laboratorio de Energía Solar Fotovoltaica ha supuesto una inversión de dos millones de euros procedentes tanto de fondos privados como de convocatorias de ayudas públicas. En cuanto a la financiación pública, la UPV/EHU ocupa un lugar destacado, apostando por un modelo de financiación que implica compromisos de resultados por parte del grupo investigador tanto a nivel científico y tecnológico como de volumen de contratación industrial. De entre los fondos privados destaca la aportación realizada por la compañía Isofotón, a través del correspondiente convenio de colaboración firmado con la UPV/EHU.

Hablar de microelectrónica es hablar de circuitos integrados de los TTL, CMOS, Microcontroladores, memorias, microprocesadores, etc. Cada uno de estos tienen un funcionamiento específico dependiendo de sus características, dentro de ellos esta aplicada la microelectrónica que son miles de miles de semiconductores, transistores, fets, etc. Empaquetados en ese circuito integrado que usualmente compramos de la “conti” (tienda de componentes o dispositivos electrónicos) para los proyectos o para las experiencias de laboratorio.

Para la simulación de estos y/o programación de algunos; ya sean memorias o microcontroladores u otros, existen paquetes de software o programas para la simulación de estos y también otros que nos ayudan a diseñar placas o PCB como algunos lo conocen, para nombrar algunos que eh usado poco o mucho son los siguientes:

Para simulaciones:

• Spice (excelente para simular amplificadores operacionales), Simulink (parecido al workbench), Proteus ISIS (con este aprendi todo lo referido a microcontroladores PIC excelente es mi favorito), PCB wizard  y LIVEWIRE (sirve para pequeñas señales tambien para diseño de placas pero no lo use mucho), workbench (algunos lo conocían a este como wevench, fue con el que empese a simular, creo q nadie ya lo usa).

Para diseño de Placas:

• Eagle (mi favorito), Orcad(una vez lo instale muy complicado de usar), Proteus ARES (prefiero eagle), Altium (muy pesado para mi gusto).

Para programar o generar HEX:

• Mplab (para programar microcontroladores de Microchip en lenguaje assembler), PCWH o mas conocido como PIC COMPLER (también para programar microcontroladores pero en lenguaje C).

Para programar, grabar o quemar microcontroladores

• Winpic (mi favorito junto con el hardware JDM Programer), también esta el IC-Prog (no lo uso pero es parecido al winpic, solo un poco mas lento q el winpic) también esta el Mplab de microchip junto con el PIC START

Para tarjetas de adquisición de datos:

• · MATLAB (lento para algunas cosas o será mi PC), labVIEW (interesante el programita para simular procesos y usar junto a las tarjetas de adquisición de datos de NATIONAL INSTRUMENT)

Son algunos de los que conosco ya que existen muchos por ejemplo para grabar memorias paralelas 28C16 tube que usar un programa que tambien simulba el 8085 microprocesador de intel el cual no era nada agradable parecia DOS bueno no se olviden de la COINTTEC Y LA OLIMPIADA ROBOTICA 2008 en su 5ta edicion..

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Introduccion de microelectrónica: Al hablar sobre microelectrónica,nos referimos a la electronica aplicada en componentes electrónicos y circuitos en tamaños pequeños,los que solo se pueden ver en forma microscópica,pero todo este conjunto de circuitos producen equipos electronicos de tamaños pequeños pero de funcionamiento de alto nivel.

-Basandonos a los SOFTWARES  de la microelectronica,yo encontre vaios en internet por ejemplo:

P-CAD,AUROVER 2.0 y CADint 3.7 softwares para diseño de PCB,pero se que hay muchos mas,de los mencionados softwares lo uso,en particular para diseño de PCBs uso dos Softwares PROTEUS y EAGLE en verda si les recomendaria usar estos dos softwares por que no he tenido problema alguno con ninguno de los 2.

 -Softwares de simulacion existentes para microelectronica como tambien electronica son el  PSPICE ,MATLAB (segun su versiòn) ,dare un poco de referencia de este software es un ambiente de computo, de alta ejecución numérica y de visualización. MATLAB  integra el análisis numérico,  calculo de matrices, procesamiento de  señales, y graficación, en un ambiente sencillo de utilizar, donde los problemas y sus soluciones son expresadas justamente como están escritas.

Y relacionado ala microelectronica,e aqui una pagina web con proyectos

http://www.upmdie.upm.es/investigacion/proyectos_micro.htm

El programa Tecnópolis de UP TV ofrece esta semana un Viaje al Crisol de Silicio: entramos en el MIT Microsystems Technology Laboratories (MTL) en el Massachusetts Intitute of Techonology y su espectacular laboratorio de salas blancas de Clase 10 del MIT donde se realizan todas los experimentos y prototipos científicos de chips y semiconductores de silicio del Massachusetts Institute of Techonology. La emisión incluye, en primer lugar, una entrevista en profundidad con Vicky Diadiuk, Principal Research Engineer y Operations Associate Director del MIT MTL, en la que se tratan temas relacionados con la investigación en microelectrónica, el silicio como parte de la revolución de la electrónica y la computación, la Ley de Moore, que refleja la aceleración exponencial del hardware y el software de la revolución digital e incluso el anticipo de los ordenadores cuánticos. Esta entrega de Tecnópolis se emite el miércoles 10 de Septiembre, de las 13.30 a 14.30 h. y de 21.30 a 22.30 h. (horas de España). Y se re-emite el domingo 14 de Septiembre con el mismo horario. La televisión de la Universidad Politécnica de Valencia emite en abierto en el área metropolitana de Valencia, por el canal 45 UHF; en TV por cable en España, por el canal 989 de Ono y, por el satélite Hispasat para Iberoamérica. Puedes ver el programa miércoles 10 de Septiembre y el domingo 14 de Septiembre, en las horas indicadas, o a través de este blog de TECNÓPOLIS UP TV,

pulsando sobre la imagen:

Este libro es líder en el mercado. Esta edición conserva su estándar de excelencia e innovación con una sólida base pedagógica tan característica de esta obra.

CARACTERISTICAS UNICAS DEL LIBRO
* MOSFETs y BJTs: Material reescrito en su totalidad en donde se presenta primero el MOSFET, aunque los dos dispositivos pueden estudiarse en el orden que más convenga a los intereses del curso.
* IC MOS y amplificadores bipolares: Los capítulos relativos a los amplificadores de circuito integrado de una sola etapa y los amplificadores diferenciales y multietapa, han sido reescritos en su totalidad para presentar los amplificadores IC MOS y los bipolares de una manera accesible y sistemática
* Respuesta en frecuencia del amplificador: Se presenta ahora como un método “justo-a-tiempo” e incluye un breve estudio de las respuestas en frecuencia de los amplificadores fuente común y emisor común.

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Investigadores da Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa desenvolveram os primeiros transístores com papel, uma descoberta que pode permitir a criação de sistemas electrónicos descartáveis a baixo custo.

“O transístor é a peça de lego para construir qualquer coisa”, explicou ao PÚBLICO Elvira Fortunato, que juntamente com Rodrigo Martins, são os coordenadores do grupo de investigação Cenimat/I3N, responsável pela descoberta.

Os transístores nasceram no final dos anos 40 e substituíram as válvulas utilizadas nos computadores e nas redes telefónicas. Tiveram o condão de reduzir o tamanho dos equipamentos, aumentar a velocidade e a durabilidade. Hoje, qualquer aparelho com um circuito integrado contém estes “interruptores” electrónicos.

O “interruptor” é formado por três componentes. Um material semicondutor que tem uma entrada e uma saída, chamadas fonte e dreno, por onde passa a corrente. E uma porta que é o que induz e controla a corrente, mas que está separada do semicondutor por um material isolante, impedindo curto-circuitos.

É esta porta que “liga” e “desliga” o transístor e que equivale ao sistema binário 0/1 em que toda a informação está codificada. É assim que os computadores, os ecrãs, os telefones, as aparelhagens funcionam. Com muitos milhões destas unidades.

O material isolante, que é a componente dieléctrica do transístor, era feito de vários materiais como o silício. As unidades eram construídas a 1200 graus célsius, por exemplo. Agora, os investigadores conseguiram o fabrico à temperatura ambiente, utilizando papel que é um “dois em um” porque também funciona como o suporte do transístor.

A celulose tem outras propriedades e não é tão boa como o silício. “Mas pode-se fazer sistemas descartáveis a baixo custo”, explicou Elvira Fortunato. E mais, pode dobrar-se que não se estraga. Estas características permitem explorar várias ideias como ecrãs de papel, etiquetas, pacotes inteligentes, chips de identificação ou aplicações médicas.

“Pode utilizar-se nos sensores biológicos para diagnóstico [na saúde]. Muitos sensores são de papel, funcionam através de uma reacção química, com o transístor pode haver uma mais-valia”, exemplificou a investigadora.

O artigo com a descoberta já foi aceite pela revista científica “Electron Device Letters” e vai ser publicado em Setembro. O pedido de patente também está feito. Agora é só ficar à espera de uma próxima plataforma digital que, antes de se deitar fora, ainda pode servir como post-it, porque, como explica a investigadora, os novos transístores “não deixam de ser papel”.

fonte: Jornal Público
……

El goteo de ofertas de empleo en el sector de la microelectrónica, en concreto en sistemas embebidos multimedia parece que continúa este mes y es el motivo de esta nueva entrada. El viernes he recibido una oferta de la lista de distribución del COIT (Colegio de Ingenieros de Telecomunicación) de Telefónica I+D.

Puesto: Ingeniero I+D tecnologías de video

Actividad: Investigación y desarrollo tecnológico

Empresa: TELEFONICA I+D

Funciones:

Participación en diferentes proyectos de innovación en tecnologías de vídeo, principalmente tecnologías de TV y Videoconferencia avanzadas. La actividad principal consistirá en el desarrollo software de bajo nivel e integración de pipelines multimedia en aplicaciones de vídeo (videoconferencia HD, 3D, IPTV, interfaces multimodales, vídeo interactivo y realidad aumentada). Además de esto participará en la preparación de propuestas de proyectos con las líneas de negocio y propuestas de proyectos de investigación.

Conocimientos:

- C, C++, Linux, Mpeg1-2-4, GSTREAMER, Diseño y arquitectura de SW(/HW?)

Se requiere:

Edad: 30
Experiencia: 2 años
Aptitudes: Colaboración, orientación a resultados
Especialidad: Tecnologías de video
Remuneración: Según valía y experiencia del candidato
Contrato: [NO SE INDICA]
Lugar: Barcelona

Otros:

Persona de contacto: Oscar Mejías
Dirección: Vía Augusta 177, Barcelona
Teléfono: 933653297
Contestar a la oferta: OMF206@TID.ES

Us recordem una nova xerradeta a l’ETSE

Sensors i actuadors aplicats a la autonomia personal de discapacitats i gent gran

A càrrec del Dr. Vicenc Soler

On? Q2-1013
Quan? 23 Novembre 2007 a les 13:00h

This idea really sounds pretty good. Take your basic SIM card, add a big chunk of high capacity NAND, world-class encryption, a serious microprocessor with its own OS and onboard software and voilà, a whole new platform for the mobile network operator (MNO) that retains full SIM capabilities.

The size of the potential market is theoretically the size of the SIM market today and those numbers are truly staggering. Today there are over 2 billion GSM customers, representing 82% of the world’s mobile phone users, and every one of those GSM mobile phones has a SIM card inside.

While the potential for the high-capacity, high-performance SIM market is tremendous, there are stumbling blocks between here and there. Handsets will need a new higher performance SIM interface and MNOs will have to decide that the more expensive SIMs are worth the effort.

While it is too early to tell if/when this market will take off, 2008 looks to be shaping up as a most interesting year. SanDisk sees 2007 as a design-in period for its high capacity SIM card, MegaSIM. In 2008 SanDisk expects MegaSIM “to emerge as a major revenue contributor.” These are fighting words coming from an organization as conservative as SanDisk.

Thanks to msystems, MegaSIM is market ready and trial tested. This didn’t happen overnight.

The Development of MegaSIM

MegaSIM goes back at least 7 years to the year 2000. This was the year that msystems had the foresight to acquire Fortress U&T Ltd. Fortress was a privately held Israeli-based company specializing in data security and crypto technology. Fortress provided advanced security technology to some of the world’s crypto smart card industry leaders. Smart folks.

In 2001 and 2002, with Fortress’s help, msystems worked on R&D for chips for next-gen SIM cards supported by European grants.

In early 2003, msystems hired a manager from Nokia to handle its, as yet unannounced SIM card business. This manager made it into the Israeli press when he slipped up and revealed msystems’ confidential high capacity SIM aspirations. He never made that mistake again.

MegaSIM was officially announced in October 2004:

For the first time in the cellular market, a SIM card will combine high capacity flash-based storage, with densities reaching 256 Megabytes, and advanced security features to enable a variety of compelling mobile applications. As mobile handsets increase their multimedia capabilities, and service providers begin implementing broadband mobile service, the need for secured, scalable and configurable high capacity storage becomes acute. The MegaSIM card module will enable SIM card vendors to provide their mobile operator customers with a (U)SIM card enabling a variety of advanced mobile services such as MMS, MP3 and video clips downloading, full PIM functionality, and high resolution picture storage.

In November, 2005, msystems acquired Microelectronica Espanola, a leading European smart card company. Msystems took this calculated step to establish direct access to the MNOs. In addition msystems acquired important technology and manufacturing capabilities.

Msystems’ strategy was to leverage both Microelectronica’s channel to the MNOs as well as its technology in secured manufacturing to grow its business for both MegaSIM and for msystems newly introduced line of memory cards.

Am posting a transcript of the November 14, 2005 acquisition of Microelectronica Espanola msystems’ conference call. Although almost two years old, it is still quite relevant.

When SanDisk acquired msystems, it also acquired Microelectronica and its management team. At the time of the Microelectronica acquisition msystems hired Simone Cavallo to manage Microelectronica. Believe he came from STMicro where he had been Group Vice-President, Smart Card Telecom Division. Before STM, Simone was a general executive manager at Incard, one of the world’s main producers of smart cards.

Today Simone is VP of SanDisk’s MNO division where he works with SanDisk MNO management from the USA, Iran, Israel, Spain, Taiwan, Korea, and China. Internationalization is always a plus.

Since acquiring msystems, SanDisk has added TrustedFlash functionality to MegaSIM. TrustedFlash seems to be an important SanDisk strategy and deserves its own post, which I will get around to eventually.

Using its Microelectronica connections and perseverence, msystems convinced MNOs to give MegaSIM a shot. Trials apparently went well enough. Big names too: Orange, Telefonica, TIM and China Mobile.

So what’s the sales pitch to the MNOs? Or put another way, why should the the Oranges and China Mobiles of this world be interested in a next-gen, high capacity SIM card like MegaSIM?

The MNO Challenge

The MNOs, are worried about losing their relevancy/leverage. And for good reason. MNO average revenue per user (ARPU) is declining and they are faced with rising subscriber churn rates.

MNOs have made massive capital investments in wireless data infrastructure and now are faced with the threat of becoming nothing more than “Fat Pipes.”

This is where the MegaSIM fits in. MegaSIM gives the MNO an opportunity build a connection with its customers and to monetize value-added propositions, increasing revenues per user and reducing churn rates.

Most MNOs offer rich content through their portals and services today. By controlling the mass storage at the heart of the mobile phone, they are also able to control this content and influence how it is used. Personal ID + Smart card functionality = ECommerce etc.

MegaSIM is tailor-made for MNOs. Whether it is adopted is another matter though. You can lead a horse to water, but you can’t make it drink.

The MNOs are conservative beasts with an aversion to uncertainty. Disagreement over standards hasn’t helped.

How SanDisk shot itself in the foot over MegaSIM Standards

It appears that Sandisk shot itself in the foot or maybe both feet in the standard’s process for high capacity SIMs. Probably no lasting damage, but sheesh.

There were two competing standards for the phone interface for high capacity SIMs: USB and MMC. Msystems designed MegaSIM so that it could work with whichever won out. FLSH and some others were pushing MMC because it could rollout sooner.

Orange trials for example were based on MMC. Various phones were designed with the technology. Looked like trials would transition smoothly into rollouts with MMC.

Then SanDisk got involved. This was before the FLSH acquisition. SanDisk didn’t have a high capacity SIM product, so it decided to try to derail the process by claiming at the 11th hour that its patents would be required for folks to use MMC for the high capacity SIMs.

This PO’d many. The net result of SNDK’s ploy was that support swung to USB which would require redesign of handsets delaying rollout.

Then SNDK acquired FLSH and MegaSIM, but the die had been cast.

USB was crowned as high speed SIM standard.

Lots of irony to this one, but no lasting damage.

One of the beautiful things about MegaSIM is that the bar is set so low. Street expectations are close to zero. Pretty remarkable for a potential $1+ billion market. If MegaSIM starts to get serious traction in 2008, it will be a big surprise. Icing on the cake.

Of the Telcos connected to MegaSIM: Orange, Telefonica, and TIM are the real deal, but the one that really grabs me is China Mobile. China Mobile is the largest MNO in the world with over 330 million subscribers. Doubt this is lost on SanDisk.